英特尔将推65纳米闪存芯片存储容量提高一倍 - 硬件专场 - 『疑难求助』

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发表于 2006-4-28 21:56 资料个人空间短消息加为好友

英特尔将推65纳米闪存芯片存储容量提高一倍

   在2007年，采用英特尔超密度NOR闪存的手机将把目前手机的存储容量提高一倍。英特尔将采用65纳米工艺生产单层芯片容量达1GB的NOR闪存芯片。同90纳米生产工艺不同，65纳米生产工艺允许在一层芯片上存储1GB的数据，而不是堆叠两个芯片。英特尔称，这种代号为“Capulet”的芯片样品将在今年第四季度交付给OEM厂商。这个交货时间至少比竞争对手Spansion和三星电子的同类产品早6个月的时间。
      根据这个计划，英特尔在推出90纳米的StrataFlash闪存芯片之后只有12个月就将推出这种新产品。StrataFlash闪存芯片采用1.8伏电压、多层单元（MLC）设计，每一层支持256MB或者512MB密度，一个堆叠芯片的容量可达1GB。英特尔NOR闪存部门市场营销经理Allen Holmes表示，新的芯片使用同样的“M18”设计，让开发人员不用改变软件和硬件就可以升级他们的手机平台。
      Holmes表示，手机设计人员将选择“Capulet”闪存芯片，这样他们就能够支持视频、高清晰度照片和更快的启动时间等许多新的功能。他说，这种新的闪存芯片还能够存储更多的照片。英特尔90纳米闪存芯片能够存储250张100万像素的照片或者80张400万像素的照片。“Capulet”闪存芯片的存储容量可提高一倍。
      分析师警告说，65纳米闪存芯片并不能在一个晚上改变市场的状况。位于纽约斯坦福的市场研究公司Envisioneering Group的研究经理Richard Doherty称，英特尔推出这种芯片的价值主要是英特尔的一个战略举措，并不意味者闪存行业的其它厂商也将跟进。65纳米闪存芯片最初仅会对那些需要3G速度视频和快速游戏的用户有吸引力。
      与此同时，英特尔的竞争对手很快会赶上来。市场研究公司Current Analysis的分析师Nicole D'Onofrio表示，英特尔转向65纳米工艺有助于加强其在手机市场的竞争力。但是，英特尔不可能不遇到挑战。事实上，三星电子本周二宣布它将采用70纳米工艺大批量生产类似的NAND闪存芯片。这种闪存芯片的存储容量为1GB。三星电子称，这种名为“OneNAND”的闪存芯片比目前采用90纳米工艺生产的闪存芯片的效率提高了70%，非常适合用于手机、数码相机存储卡和混合硬盘。